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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSQD40131EL_GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SQD40131EL_GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SQD40131EL_GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SQD40131EL_GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
SQD40131EL.pdf
État RoHS
En stock: 51230

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SQD40131EL_GE3
Vishay Siliconix - SQD40131EL_GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SQD40131EL_GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 62W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base SQD40131  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SQD40131EL_GE3

Attributs du produit SQD40131EL_GE3 SQD40N06-14L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 SQD400B60
Modèle de produit SQD40131EL_GE3 SQD40N06-14L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 SQD400B60
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix SANREX
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 144 nC @ 10 V -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA -
Dissipation de puissance (max) 62W (Tc) 75W (Tc) 136W (Tc) -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Tension drain-source (Vdss) 40 V 60 V 100 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 40A (Tc) 38A (Tc) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Numéro de produit de base SQD40131 SQD40 SQD40 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 30A, 10V 14mOhm @ 20A, 10V 40mOhm @ 8.2A, 10V -
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252AA TO-252AA -
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V 2105 pF @ 25 V 5540 pF @ 15 V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -

Fiche technique SQD40131EL_GE3 PDF

Téléchargez SQD40131EL_GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SQD40131EL_GE3 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
SQD40131EL.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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