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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSQD19P06-60L_GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SQD19P06-60L_GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SQD19P06-60L_GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SQD19P06-60L_GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
SQD19P06-60L.pdf
État RoHS
En stock: 47200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SQD19P06-60L_GE3
Vishay Siliconix - SQD19P06-60L_GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SQD19P06-60L_GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 19A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 46W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)  
Numéro de produit de base SQD19  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SQD19P06-60L_GE3

Attributs du produit SQD19P06-60L_GE3 SQD15N06-42L_GE3 SQD2011K SQD23N06-31L-GE3 MOS
Modèle de produit SQD19P06-60L_GE3 SQD15N06-42L_GE3 SQD2011K SQD23N06-31L-GE3 MOS
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Sanken Electric Co., Ltd. Electro-Films (EFI) / Vishay
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 19A, 10V 42mOhm @ 10A, 10V - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 25 V 535 pF @ 25 V - -
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252AA - -
Dissipation de puissance (max) 46W (Tc) 37W (Tc) - -
Numéro de produit de base SQD19 SQD15 - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V - -
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® TrenchFET® - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) 15A (Tc) - -
type de FET P-Channel N-Channel - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -

Fiche technique SQD19P06-60L_GE3 PDF

Téléchargez SQD19P06-60L_GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SQD19P06-60L_GE3 - Vishay Siliconix.

Numéro de pièce PCN
New Ordering Code 19/Mar/2015.pdf
Feuilles de données
SQD19P06-60L.pdf
Assemblage / origine PCN
Additional Backmetal Capability 12/APR/2023.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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