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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSQ4850EY-T1_GE3
SQ4850EY-T1_GE3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SQ4850EY-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SQ4850EY-T1_GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SQ4850EY-T1_GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SQ4850EY.pdf
État RoHS
En stock: 56770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SQ4850EY-T1_GE3
Vishay Siliconix - SQ4850EY-T1_GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SQ4850EY-T1_GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 6.8W (Tc)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base SQ4850  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SQ4850EY-T1_GE3

Attributs du produit SQ4850EY-T1_GE3 SQ4840EY-T1_GE3 SQ4532681KAB SQ48T04120-NBA0
Modèle de produit SQ4850EY-T1_GE3 SQ4840EY-T1_GE3 SQ4532681KAB SQ48T04120-NBA0
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix ABC Bel Power Solutions
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA - -
Dissipation de puissance (max) 6.8W (Tc) 7.1W (Tc) - -
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-DIP Module, 1/8 Brick
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 25 V 2440 pF @ 20 V - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Through Hole
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Bulk
Numéro de produit de base SQ4850 SQ4840 - -
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® TrenchFET® - SemiQ™ SQ48
Tension drain-source (Vdss) 60 V 40 V - -
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 20.7A (Tc) - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6A, 5V 9mOhm @ 14A, 10V - -
type de FET N-Channel N-Channel - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -40°C ~ 85°C
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V - -

Fiche technique SQ4850EY-T1_GE3 PDF

Téléchargez SQ4850EY-T1_GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SQ4850EY-T1_GE3 - Vishay Siliconix.

Numéro de pièce PCN
New Ordering Code 19/Mar/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014.pdf
Feuilles de données
SQ4850EY.pdf
PCN Obsolescence / EOL
SQ4850EY-T1_xE3 obs 14/Jun/2023.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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