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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSQ3426EEV-T1-GE3
SQ3426EEV-T1-GE3 Image
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SQ3426EEV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SQ3426EEV-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SQ3426EEV-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
SQ3426EEV.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4040

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques SQ3426EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix - SQ3426EEV-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SQ3426EEV-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-TSOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 10V  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc)  
Numéro de produit de base SQ3426  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SQ3426EEV-T1-GE3

Attributs du produit SQ3426EEV-T1-GE3 SQ3419EEV-T1-GE3 SQ3426EV-T1_BE3 SQ3427AEEV-T1_BE3
Modèle de produit SQ3426EEV-T1-GE3 SQ3419EEV-T1-GE3 SQ3426EV-T1_BE3 SQ3427AEEV-T1_BE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Numéro de produit de base SQ3426 SQ3419 SQ3426 SQ3427
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc) 7.4A (Tc) 7A (Tc) 5.3A (Tc)
Séries - TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package composant fournisseur 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 22 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 40 V 60 V 60 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 10V 50mOhm @ 2.5A, 10V 42mOhm @ 5A, 10V 95mOhm @ 4.5A, 10V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 30 V 1065 pF @ 20 V 720 pF @ 30 V 1000 pF @ 30 V
Emballer Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique SQ3426EEV-T1-GE3 PDF

Téléchargez SQ3426EEV-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SQ3426EEV-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
SQ3426EEV.pdf
PCN Obsolescence / EOL
SIL-051-2014-Rev-1 27/Jun/2014.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SQ3426EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix
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