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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSQ1431EH-T1_GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SQ1431EH-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SQ1431EH-T1_GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SQ1431EH-T1_GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
SQ1431EH.pdf
État RoHS
En stock: 132680

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SQ1431EH-T1_GE3
Vishay Siliconix - SQ1431EH-T1_GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SQ1431EH-T1_GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-70-6  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Tc)  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 205 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)  
Numéro de produit de base SQ1431  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SQ1431EH-T1_GE3

Attributs du produit SQ1431EH-T1_GE3 SQ1420EEH-T1-GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 SQ1470EH-T1-GE3
Modèle de produit SQ1431EH-T1_GE3 SQ1420EEH-T1-GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 SQ1470EH-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V - ±12V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -
Emballer Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries TrenchFET® - Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® -
Dissipation de puissance (max) 3W (Tc) - 3.3W (Tc) -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.6V @ 250µA 1.6V @ 250µA
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V 4 nC @ 4.5 V 5.2 nC @ 4.5 V 6.6 nC @ 4.5 V
Package composant fournisseur SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc) 1.6A (Tc) 1.7A (Tc) 2.8A (Tc)
Numéro de produit de base SQ1431 SQ1420 SQ1470 SQ1470
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 2.5V, 4.5V -
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 2A, 10V 140mOhm @ 1.2A, 10V 65mOhm @ 4.2A, 4.5V 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 205 pF @ 25 V 215 pF @ 25 V 450 pF @ 15 V 610 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 60 V 30 V 30 V

Fiche technique SQ1431EH-T1_GE3 PDF

Téléchargez SQ1431EH-T1_GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SQ1431EH-T1_GE3 - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
SIL-040-2014-Rev-3 22/Sep/2014.pdf
Feuilles de données
SQ1431EH.pdf
Conception / spécification PCN
SQ1431EH Datasheet Chg 02/Dec/2015.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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