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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSIZ904DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SIZ904DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SIZ904DT-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SIZ904DT-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
Description détaillée
Emballage
6-PowerPair™
Fiche technique
SIZ904DT.pdf
État RoHS
En stock: 57930

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SIZ904DT-T1-GE3
Vishay Siliconix - SIZ904DT-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SIZ904DT-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-PowerPair™  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.8A, 10V  
Puissance - Max 20W, 33W  
Package / Boîte 6-PowerPair™  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A, 16A  
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base SIZ904  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SIZ904DT-T1-GE3

Attributs du produit SIZ904DT-T1-GE3 SIZ710DT-T1-GE3 SIZ980DT-T1-GE3 SIZ728DT-T1-GE3
Modèle de produit SIZ904DT-T1-GE3 SIZ710DT-T1-GE3 SIZ980DT-T1-GE3 SIZ728DT-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V 18nC @ 10V 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V 26nC @ 10V
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Numéro de produit de base SIZ904 SIZ710 SIZ980 SIZ728
Package composant fournisseur 6-PowerPair™ 6-PowerPair™ 8-PowerPair® (6x5) 6-PowerPair™
Package / Boîte 6-PowerPair™ 6-PowerPair™ 8-PowerWDFN 6-PowerPair™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.8A, 10V 6.8mOhm @ 19A, 10V 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V 7.7mOhm @ 18A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V 20V 30V 25V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A, 16A 16A, 35A 20A (Tc), 60A (Tc) 16A, 35A
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual), Schottky 2 N-Channel (Half Bridge)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V 820pF @ 10V 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V 890pF @ 12.5V
Puissance - Max 20W, 33W 27W, 48W 20W, 66W 27W, 48W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique SIZ904DT-T1-GE3 PDF

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Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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