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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSIZ342DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SIZ342DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SIZ342DT-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SIZ342DT-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
SIZ342DT.pdf
État RoHS
En stock: 87400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SIZ342DT-T1-GE3
Vishay Siliconix - SIZ342DT-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SIZ342DT-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
La technologie -  
Package composant fournisseur 8-Power33 (3x3)  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 14A, 10V  
Puissance - Max 3.6W, 4.3W  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15.7A (Ta), 100A (Tc)  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SIZ342  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SIZ342DT-T1-GE3

Attributs du produit SIZ342DT-T1-GE3 SIZ704DT-T1-GE3 SIZ300DT-T1-GE3 SIZ790DT-T1-GE3
Modèle de produit SIZ342DT-T1-GE3 SIZ704DT-T1-GE3 SIZ300DT-T1-GE3 SIZ790DT-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Package / Boîte 8-PowerWDFN 6-PowerPair™ 8-PowerWDFN 6-PowerPair™
Puissance - Max 3.6W, 4.3W 20W, 30W 16.7W, 31W 27W, 48W
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® SkyFET®, TrenchFET®
Package composant fournisseur 8-Power33 (3x3) 6-PowerPair™ 8-PowerPair® 6-PowerPair™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15.7A (Ta), 100A (Tc) 12A, 16A 11A, 28A 16A, 35A
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 12nC @ 10V 12nC @ 10V 24nC @ 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base SIZ342 SIZ704 SIZ300 SIZ790
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 14A, 10V 24mOhm @ 7.8A, 10V 24mOhm @ 9.8A, 10V 9.3mOhm @ 15A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 15V 435pF @ 15V 400pF @ 15V 830pF @ 15V
La technologie - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)

Fiche technique SIZ342DT-T1-GE3 PDF

Téléchargez SIZ342DT-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SIZ342DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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