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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSIR618DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SIR618DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SIR618DP-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SIR618DP-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® SO-8
Fiche technique
SIR618DP.pdf
État RoHS
En stock: 25961

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SIR618DP-T1-GE3
Vishay Siliconix - SIR618DP-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SIR618DP-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8  
Séries ThunderFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc)  
Package / Boîte PowerPAK® SO-8  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 7.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 7.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14.2A (Tc)  
Numéro de produit de base SIR618  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SIR618DP-T1-GE3

Attributs du produit SIR618DP-T1-GE3 SIR610DP-T1-RE3 SIR622DP-T1-RE3 SIR624DP-T1-GE3
Modèle de produit SIR618DP-T1-GE3 SIR610DP-T1-RE3 SIR622DP-T1-RE3 SIR624DP-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base SIR618 SIR610 SIR622 SIR624
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14.2A (Tc) 35.4A (Tc) 12.6A (Ta), 51.6A (Tc) 18.6A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 200 V 200 V 150 V 200 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 7.5V, 10V 7.5V, 10V 7.5V, 10V 7.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 100 V 1380 pF @ 100 V 1516 pF @ 75 V 1110 pF @ 100 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries ThunderFET® ThunderFET® ThunderFET® ThunderFET®
Package / Boîte PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 8A, 10V 31.9mOhm @ 10A, 10V 17.7mOhm @ 20A, 10V 60mOhm @ 10A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 7.5 V 38 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 23 nC @ 7.5 V
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc) 104W (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) 52W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique SIR618DP-T1-GE3 PDF

Téléchargez SIR618DP-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SIR618DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Feuilles de données
SIR618DP.pdf

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Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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