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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSIHFR420TRL-GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SIHFR420TRL-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SIHFR420TRL-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SIHFR420TRL-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420.pdf
État RoHS
En stock: 114400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SIHFR420TRL-GE3
Vishay Siliconix - SIHFR420TRL-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SIHFR420TRL-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.4A (Tc)  
Numéro de produit de base SIHFR420  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SIHFR420TRL-GE3

Attributs du produit SIHFR420TRL-GE3 SIHFR120-GE3 SIHFR9014-GE3 SiHFR9014
Modèle de produit SIHFR420TRL-GE3 SIHFR120-GE3 SIHFR9014-GE3 SiHFR9014
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.4A (Tc) 7.7A (Tc) 5.1A (Tc) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.4A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V -
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA -
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252AA TO-252AA -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 100 V 60 V -
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel -
Numéro de produit de base SIHFR420 - SIHFR9014 -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V -

Fiche technique SIHFR420TRL-GE3 PDF

Téléchargez SIHFR420TRL-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SIHFR420TRL-GE3 - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Reel Design Change 29/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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