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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSIHF6N65E-GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SIHF6N65E-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SIHF6N65E-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SIHF6N65E-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
SIHF6N65E.pdf
État RoHS
En stock: 23355

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SIHF6N65E-GE3
Vishay Siliconix - SIHF6N65E-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SIHF6N65E-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220 Full Pack  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 31W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 820 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc)  
Numéro de produit de base SIHF6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SIHF6N65E-GE3

Attributs du produit SIHF6N65E-GE3 SIHF7N60E-GE3 SiHF740 SiHF9520
Modèle de produit SIHF6N65E-GE3 SIHF7N60E-GE3 SiHF740 SiHF9520
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay
Emballer Tube Tube - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 820 pF @ 100 V 680 pF @ 100 V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V - -
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA - -
type de FET N-Channel N-Channel - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V - -
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V - -
Dissipation de puissance (max) 31W (Tc) 31W (Tc) - -
Type de montage Through Hole Through Hole - -
Numéro de produit de base SIHF6 SIHF7 - -
Séries - E - -
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - -
Package composant fournisseur TO-220 Full Pack TO-220 Full Pack - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc) 7A (Tc) - -
Vgs (Max) ±30V ±30V - -

Fiche technique SIHF6N65E-GE3 PDF

Téléchargez SIHF6N65E-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SIHF6N65E-GE3 - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Feuilles de données
SIHF6N65E.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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