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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSIF912EDZ-T1-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SIF912EDZ-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SIF912EDZ-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SIF912EDZ-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® 2x5
Fiche technique
SIF912EDZ.pdf
État RoHS
En stock: 5430

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SIF912EDZ-T1-E3
Vishay Siliconix - SIF912EDZ-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SIF912EDZ-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® (2x5)  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 7.4A, 4.5V  
Puissance - Max 1.6W  
Package / Boîte PowerPAK® 2x5  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.4A  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numéro de produit de base SIF912  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SIF912EDZ-T1-E3

Attributs du produit SIF912EDZ-T1-E3 SIF902EDZ-T1-E3 SIF4N70C SIF7N65D MOS
Modèle de produit SIF912EDZ-T1-E3 SIF902EDZ-T1-E3 SIF4N70C SIF7N65D MOS
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix SI SISEMI
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 7.4A, 4.5V 22mOhm @ 7A, 4.5V - -
Package / Boîte PowerPAK® 2x5 PowerPAK® 2x5 - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Tension drain-source (Vdss) 30V 20V - -
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V 14nC @ 4.5V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.4A 7A - -
Puissance - Max 1.6W 1.6W - -
Numéro de produit de base SIF912 SIF902 - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Séries TrenchFET® TrenchFET® - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Package composant fournisseur PowerPAK® (2x5) PowerPAK® (2x5) - -

Fiche technique SIF912EDZ-T1-E3 PDF

Téléchargez SIF912EDZ-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SIF912EDZ-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
Feuilles de données
SIF912EDZ.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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