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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSIA950DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SIA950DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SIA950DJ-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SIA950DJ-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Fiche technique
SIA950DJ.pdf
État RoHS
En stock: 5200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SIA950DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix - SIA950DJ-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SIA950DJ-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Dual  
Séries LITTLE FOOT®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V  
Puissance - Max 7W  
Package / Boîte PowerPAK® SC-70-6 Dual  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 90pF @ 100V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 190V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 950mA  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SIA950  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SIA950DJ-T1-GE3

Attributs du produit SIA950DJ-T1-GE3 SIA931DJ-T1-GE3 SIA917DJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3
Modèle de produit SIA950DJ-T1-GE3 SIA931DJ-T1-GE3 SIA917DJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Puissance - Max 7W 7.8W 6.5W 7.8W
Package composant fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 10V 13nC @ 10V 9nC @ 10V 25nC @ 8V
Package / Boîte PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 190V 30V 20V 20V
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA 2.2V @ 250µA 1.5V @ 250µA 900mV @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base SIA950 SIA931 SIA917 SIA923
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 90pF @ 100V 445pF @ 15V 250pF @ 10V 770pF @ 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 950mA 4.5A 4.5A 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V 65mOhm @ 3A, 10V 110mOhm @ 2.5A, 4.5V 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Séries LITTLE FOOT® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®

Fiche technique SIA950DJ-T1-GE3 PDF

Téléchargez SIA950DJ-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SIA950DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf
Feuilles de données
SIA950DJ.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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