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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSIA811DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SIA811DJ-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SIA811DJ-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SIA811DJ-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Fiche technique
SIA811DJ.pdf
État RoHS
En stock: 4840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SIA811DJ-T1-E3
Vishay Siliconix - SIA811DJ-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SIA811DJ-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Dual  
Séries LITTLE FOOT®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94mOhm @ 2.8A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)  
Package / Boîte PowerPAK® SC-70-6 Dual  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 355 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 8 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc)  
Numéro de produit de base SIA811  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SIA811DJ-T1-E3

Attributs du produit SIA811DJ-T1-E3 SIA817EDJ-T1-GE3 SIA811DJ-T1-GE3 SIA814DJ-T1-GE3
Modèle de produit SIA811DJ-T1-E3 SIA817EDJ-T1-GE3 SIA811DJ-T1-GE3 SIA814DJ-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±8V ±12V ±8V ±12V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 30 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc) 4.5A (Tc) 4.5A (Tc) 4.5A (Tc)
Package / Boîte PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Package composant fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 8 V 23 nC @ 10 V 13 nC @ 8 V 11 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries LITTLE FOOT® LITTLE FOOT® LITTLE FOOT® LITTLE FOOT®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 355 pF @ 10 V 600 pF @ 15 V 355 pF @ 10 V 340 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94mOhm @ 2.8A, 4.5V 65mOhm @ 3A, 10V 94mOhm @ 2.8A, 4.5V 61mOhm @ 3.3A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 2.5V, 10V 1.8V, 4.5V 2.5V, 10V
Fonction FET Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Numéro de produit de base SIA811 SIA817 SIA811 SIA814
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.3V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA

Fiche technique SIA811DJ-T1-E3 PDF

Téléchargez SIA811DJ-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SIA811DJ-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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