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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI9936BDY-T1-E3
SI9936BDY-T1-E3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI9936BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI9936BDY-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI9936BDY-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI9936BDY.pdf
État RoHS
En stock: 4660

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI9936BDY-T1-E3
Vishay Siliconix - SI9936BDY-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI9936BDY-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V  
Puissance - Max 1.1W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI9936  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI9936BDY-T1-E3

Attributs du produit SI9936BDY-T1-E3 SI9936DY SI9936DY SI9934DY-T1
Modèle de produit SI9936BDY-T1-E3 SI9936DY SI9936DY SI9934DY-T1
Fabricant Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor onsemi Electro-Films (EFI) / Vishay
Numéro de produit de base SI9936 SI9936 SI9936 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V 35nC @ 10V 35nC @ 10V -
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC -
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V -
Fonction FET Logic Level Gate - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A 5A 5A -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 525pF @ 15V 525pF @ 15V -
Puissance - Max 1.1W 900mW 900mW -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Séries - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V 50mOhm @ 5A, 10V 50mOhm @ 5A, 10V -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -

Fiche technique SI9936BDY-T1-E3 PDF

Téléchargez SI9936BDY-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI9936BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf
Feuilles de données
SI9936BDY.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI9936BDY-T1-E3

Vishay Siliconix
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