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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI8901EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI8901EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI8901EDB-T2-E1
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI8901EDB-T2-E1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6-MFP
Description détaillée
Emballage
6-MICRO FOOT®CSP
Fiche technique
SI8901EDB.pdf
État RoHS
En stock: 4180

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI8901EDB-T2-E1
Vishay Siliconix - SI8901EDB-T2-E1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI8901EDB-T2-E1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 350µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-Micro Foot™ (2.36x1.56)  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Puissance - Max 1W  
Package / Boîte 6-MICRO FOOT®CSP  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A  
Configuration 2 P-Channel (Dual) Common Drain  
Numéro de produit de base SI8901  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI8901EDB-T2-E1

Attributs du produit SI8901EDB-T2-E1 SI8902EDB-T2-E1 SI8900EDB-T2-E1 SI88621BD-IS
Modèle de produit SI8901EDB-T2-E1 SI8902EDB-T2-E1 SI8900EDB-T2-E1 SI88621BD-IS
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Skyworks Solutions Inc.
Puissance - Max 1W 1W 1W -
Configuration 2 P-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain -
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) Capacitive Coupling
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - -
Package composant fournisseur 6-Micro Foot™ (2.36x1.56) 6-Micro Foot™ (2.36x1.56) 10-Micro Foot™ CSP (2x5) 20-SOIC
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Numéro de produit de base SI8901 SI8902 SI8900 SI88621
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 350µA 1V @ 980µA 1V @ 1.1mA -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Package / Boîte 6-MICRO FOOT®CSP 6-MICRO FOOT®CSP 10-UFBGA, CSPBGA 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A 3.9A 5.4A -

Fiche technique SI8901EDB-T2-E1 PDF

Téléchargez SI8901EDB-T2-E1 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI8901EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf
Feuilles de données
SI8901EDB.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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