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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI7913DN-T1-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI7913DN-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI7913DN-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI7913DN-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® 1212-8 Dual
Fiche technique
SI7913DN-T1-E3.pdf
État RoHS
En stock: 46750

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI7913DN-T1-E3
Vishay Siliconix - SI7913DN-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI7913DN-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 7.4A, 4.5V  
Puissance - Max 1.3W  
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8 Dual  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI7913  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI7913DN-T1-E3

Attributs du produit SI7913DN-T1-E3 SI7911DN-T1-GE3 SI7922DN-T1-GE3 SI7911DN-T1-E3
Modèle de produit SI7913DN-T1-E3 SI7911DN-T1-GE3 SI7922DN-T1-GE3 SI7911DN-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Puissance - Max 1.3W 1.3W 1.3W 1.3W
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A 4.2A 1.8A 4.2A
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Numéro de produit de base SI7913 SI7911 SI7922 SI7911
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V 8nC @ 10V 15nC @ 4.5V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 100V 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 7.4A, 4.5V 51mOhm @ 5.7A, 4.5V 195mOhm @ 2.5A, 10V 51mOhm @ 5.7A, 4.5V
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual

Fiche technique SI7913DN-T1-E3 PDF

Téléchargez SI7913DN-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI7913DN-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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