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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI7425DN-T1-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI7425DN-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI7425DN-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI7425DN-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® 1212-8
Fiche technique
SI7425DN-T1-E3.pdf
État RoHS
En stock: 3640

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI7425DN-T1-E3
Vishay Siliconix - SI7425DN-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI7425DN-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 300µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 12.6A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta)  
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.3A (Ta)  
Numéro de produit de base SI7425  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI7425DN-T1-E3

Attributs du produit SI7425DN-T1-E3 SI7423DN-T1-E3 SI7421DN-T1-E3 SI7425DN-T1-GE3
Modèle de produit SI7425DN-T1-E3 SI7423DN-T1-E3 SI7421DN-T1-E3 SI7425DN-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tension drain-source (Vdss) 12 V 30 V 30 V 12 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 300µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 300µA
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 12.6A, 4.5V 18mOhm @ 11.7A, 10V 25mOhm @ 9.8A, 10V 16mOhm @ 12.6A, 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 4.5 V 56 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 39 nC @ 4.5 V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta)
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
Numéro de produit de base SI7425 SI7423 SI7421 SI7425
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.3A (Ta) 7.4A (Ta) 6.4A (Ta) 8.3A (Ta)
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Vgs (Max) ±8V ±20V ±20V ±8V

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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