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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI6993DQ-T1-GE3
SI6993DQ-T1-GE3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI6993DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI6993DQ-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI6993DQ-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
SI6993DQ.pdf
État RoHS
En stock: 3770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI6993DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI6993DQ-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI6993DQ-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 4.7A, 10V  
Puissance - Max 830mW  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.6A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI6993  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI6993DQ-T1-GE3

Attributs du produit SI6993DQ-T1-GE3 SI6993DQ-T1-E3 SI6981DQ-T1-E3 SI6969DQ-T1-E3
Modèle de produit SI6993DQ-T1-GE3 SI6993DQ-T1-E3 SI6981DQ-T1-E3 SI6969DQ-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.6A 3.6A 4.1A -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 4.7A, 10V 31mOhm @ 4.7A, 10V 31mOhm @ 4.8A, 4.5V 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V 25nC @ 4.5V 40nC @ 4.5V
Numéro de produit de base SI6993 SI6993 SI6981 SI6969
Package composant fournisseur 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 20V 12V
Puissance - Max 830mW 830mW 830mW 1.1W
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 900mV @ 300µA 450mV @ 250µA (Min)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate

Fiche technique SI6993DQ-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI6993DQ-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI6993DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf Obs 29/Dec/2015.pdf
Feuilles de données
SI6993DQ.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI6993DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix
32D-SI6993DQ-T1-GE3

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