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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI6966DQ-T1-GE3
SI6966DQ-T1-GE3 Image
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SI6966DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI6966DQ-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI6966DQ-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
SI6966DQ-T1-GE3.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4330

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques SI6966DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI6966DQ-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI6966DQ-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.5A, 4.5V  
Puissance - Max 830mW  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI6966  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI6966DQ-T1-GE3

Attributs du produit SI6966DQ-T1-GE3 SI6963DQ SI6963BDQ-T1-E3 SI6967DQ-T1-E3
Modèle de produit SI6966DQ-T1-GE3 SI6963DQ SI6963BDQ-T1-E3 SI6967DQ-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Package composant fournisseur 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 1015pF @ 10V - -
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 8V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Numéro de produit de base SI6966 SI6963 SI6963 SI6967
Puissance - Max 830mW 600mW (Ta) 830mW 1.1W
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.5A, 4.5V 43mOhm @ 3.8A, 4.5V 45mOhm @ 3.9A, 4.5V 30mOhm @ 5A, 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A 3.8A (Ta) 3.4A -
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V 16nC @ 4.5V 11nC @ 4.5V 40nC @ 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.4V @ 250µA 450mV @ 250µA (Min)
Séries TrenchFET® PowerTrench® - TrenchFET®
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique SI6966DQ-T1-GE3 PDF

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Informations environnementales
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI6966DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix
32D-SI6966DQ-T1-GE3

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