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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI5905DC-T1-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI5905DC-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI5905DC-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI5905DC-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
SI5905DC.pdf
État RoHS
En stock: 4220

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI5905DC-T1-E3
Vishay Siliconix - SI5905DC-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI5905DC-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 4.5V  
Puissance - Max 1.1W  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 8V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI5905  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI5905DC-T1-E3

Attributs du produit SI5905DC-T1-E3 SI5904DC-T1-E3 SI5908DC-T1-GE3 SI5903DC-T1-E3
Modèle de produit SI5905DC-T1-E3 SI5904DC-T1-E3 SI5908DC-T1-GE3 SI5903DC-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Puissance - Max 1.1W 1.1W 1.1W 1.1W
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 4.5V 75mOhm @ 3.1A, 4.5V 40mOhm @ 4.4A, 4.5V 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V 7.5nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A 3.1A 4.4A 2.1A
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Numéro de produit de base SI5905 SI5904 SI5908 SI5903
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 8V 20V 20V 20V

Fiche technique SI5905DC-T1-E3 PDF

Téléchargez SI5905DC-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI5905DC-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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