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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI4952DY-T1-E3
SI4952DY-T1-E3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI4952DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI4952DY-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI4952DY-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4952DY.pdf
État RoHS
En stock: 4740

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI4952DY-T1-E3
Vishay Siliconix - SI4952DY-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI4952DY-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V  
Puissance - Max 2.8W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 13V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 25V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI4952  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI4952DY-T1-E3

Attributs du produit SI4952DY-T1-E3 SI4953ADY-T1-GE3 SI4952DY-T1-GE3 SI4953DY
Modèle de produit SI4952DY-T1-E3 SI4953ADY-T1-GE3 SI4952DY-T1-GE3 SI4953DY
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
Séries TrenchFET® - TrenchFET® -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 13V - 680pF @ 13V 750pF @ 15V
Emballer Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Bulk
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V 25nC @ 10V 18nC @ 10V 25nC @ 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 2.2V @ 250µA 1V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Numéro de produit de base SI4952 SI4953 SI4952 SI4953
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V 53mOhm @ 4.9A, 10V 23mOhm @ 7A, 10V 53mOhm @ 4.9A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A 3.7A 8A 4.9A (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 25V 30V 25V 30V
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Puissance - Max 2.8W 1.1W 2.8W 900mW (Ta)

Fiche technique SI4952DY-T1-E3 PDF

Téléchargez SI4952DY-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI4952DY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
SIL-0392016 16/Dec/2016.pdf
Feuilles de données
SI4952DY.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI4952DY-T1-E3

Vishay Siliconix
32D-SI4952DY-T1-E3

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