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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI4946BEY-T1-E3
SI4946BEY-T1-E3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI4946BEY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI4946BEY-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI4946BEY-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4946BEY.pdf
État RoHS
En stock: 55330

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI4946BEY-T1-E3
Vishay Siliconix - SI4946BEY-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI4946BEY-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 5.3A, 10V  
Puissance - Max 3.7W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 30V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI4946  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI4946BEY-T1-E3

Attributs du produit SI4946BEY-T1-E3 SI4946CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3
Modèle de produit SI4946BEY-T1-E3 SI4946CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Numéro de produit de base SI4946 SI4946 SI4943 SI4946
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 30V 350pF @ 30V 1945pF @ 10V 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 5.3A, 10V 40.9mOhm @ 5.2A, 10V 19.2mOhm @ 8.3A, 10V 41mOhm @ 5.3A, 10V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fonction FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 10nC @ 10V 62nC @ 10V 25nC @ 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V 60V 20V 60V
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SO 8-SOIC 8-SOIC
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Puissance - Max 3.7W 2W (Ta), 2.8W (Tc) 3.1W 3.7W
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) 8A 6.5A
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique SI4946BEY-T1-E3 PDF

Téléchargez SI4946BEY-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI4946BEY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Feuilles de données
SI4946BEY.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI4946BEY-T1-E3

Vishay Siliconix
32D-SI4946BEY-T1-E3

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