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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI4914BDY-T1-E3
SI4914BDY-T1-E3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI4914BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI4914BDY-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI4914BDY-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4914BDY.pdf
État RoHS
En stock: 4920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI4914BDY-T1-E3
Vishay Siliconix - SI4914BDY-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI4914BDY-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries LITTLE FOOT®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8A, 10V  
Puissance - Max 2.7W, 3.1W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 4.5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.4A, 8A  
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base SI4914  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI4914BDY-T1-E3

Attributs du produit SI4914BDY-T1-E3 SI4910DY-T1-GE3 SI4914DY-T1-E3 SI4914BDY-T1-GE3
Modèle de produit SI4914BDY-T1-E3 SI4910DY-T1-GE3 SI4914DY-T1-E3 SI4914BDY-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 4.5V 32nC @ 10V 8.5nC @ 4.5V 10.5nC @ 4.5V
Numéro de produit de base SI4914 SI4910 SI4914 SI4914
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - Logic Level Gate -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8A, 10V 27mOhm @ 6A, 10V 23mOhm @ 7A, 10V 21mOhm @ 8A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V 40V 30V 30V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.4A, 8A 7.6A 5.5A, 5.7A 8.4A, 8A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 855pF @ 20V - -
Séries LITTLE FOOT® TrenchFET® LITTLE FOOT® LITTLE FOOT®
Puissance - Max 2.7W, 3.1W 3.1W 1.1W, 1.16W 2.7W, 3.1W
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.7V @ 250µA

Fiche technique SI4914BDY-T1-E3 PDF

Téléchargez SI4914BDY-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI4914BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf
Feuilles de données
SI4914BDY.pdf

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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI4914BDY-T1-E3

Vishay Siliconix
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