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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI4834CDY-T1-E3
SI4834CDY-T1-E3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI4834CDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI4834CDY-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI4834CDY-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4834CDY.pdf
État RoHS
En stock: 4200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI4834CDY-T1-E3
Vishay Siliconix - SI4834CDY-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI4834CDY-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V  
Puissance - Max 2.9W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI4834  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI4834CDY-T1-E3

Attributs du produit SI4834CDY-T1-E3 SI4834CDY-T1-GE3 SI4834BDY-T1-E3 SI4834DY
Modèle de produit SI4834CDY-T1-E3 SI4834CDY-T1-GE3 SI4834BDY-T1-E3 SI4834DY
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Puissance - Max 2.9W 2.9W 1.1W -
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® -
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A 8A 5.7A -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 250µA -
Numéro de produit de base SI4834 SI4834 SI4834 -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 25nC @ 10V 11nC @ 4.5V -
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V 950pF @ 15V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V 20mOhm @ 8A, 10V 22mOhm @ 7.5A, 10V -
Fonction FET - - Logic Level Gate -

Fiche technique SI4834CDY-T1-E3 PDF

Téléchargez SI4834CDY-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI4834CDY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf
Feuilles de données
SI4834CDY.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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