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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI4814BDY-T1-E3
SI4814BDY-T1-E3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI4814BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI4814BDY-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI4814BDY-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4814BDY.pdf
État RoHS
En stock: 4580

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI4814BDY-T1-E3
Vishay Siliconix - SI4814BDY-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI4814BDY-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries LITTLE FOOT®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 10A, 10V  
Puissance - Max 3.3W, 3.5W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A, 10.5A  
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base SI4814  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI4814BDY-T1-E3

Attributs du produit SI4814BDY-T1-E3 SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-E3 SI4812DY-T1-E3
Modèle de produit SI4814BDY-T1-E3 SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-E3 SI4812DY-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V 10nC @ 5V 10nC @ 5V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A, 10.5A 5.8A, 8.2A 5.8A, 8.2A -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) -
Séries LITTLE FOOT® LITTLE FOOT® LITTLE FOOT® -
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA -
Numéro de produit de base SI4814 SI4816 SI4816 -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Puissance - Max 3.3W, 3.5W 1W, 1.25W 1W, 1.25W -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 10A, 10V 18.5mOhm @ 6.8A, 10V 18.5mOhm @ 6.8A, 10V -

Fiche technique SI4814BDY-T1-E3 PDF

Téléchargez SI4814BDY-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI4814BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
SIL-0392016 16/Dec/2016.pdf
Feuilles de données
SI4814BDY.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI4814BDY-T1-E3

Vishay Siliconix
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