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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI4646DY-T1-E3
SI4646DY-T1-E3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI4646DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI4646DY-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI4646DY-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4646DY.pdf
État RoHS
En stock: 4490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI4646DY-T1-E3
Vishay Siliconix - SI4646DY-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI4646DY-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries SkyFET®, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 6.25W (Tc)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1790 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base SI4646  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI4646DY-T1-E3

Attributs du produit SI4646DY-T1-E3 SI4660DY-T1-GE3 SI4634DY-T1-GE3 SI4642DY-T1-E3
Modèle de produit SI4646DY-T1-E3 SI4660DY-T1-GE3 SI4634DY-T1-GE3 SI4642DY-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.2V @ 250µA 2.6V @ 250µA 3V @ 1mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1790 pF @ 15 V 2410 pF @ 15 V 3150 pF @ 15 V 5540 pF @ 15 V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 6.25W (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 25 V 30 V 30 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Séries SkyFET®, TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 23.1A (Tc) 24.5A (Tc) 34A (Tc)
Numéro de produit de base SI4646 SI4660 SI4634 SI4642
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 10A, 10V 5.8mOhm @ 15A, 10V 5.2mOhm @ 15A, 10V 3.75mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique SI4646DY-T1-E3 PDF

Téléchargez SI4646DY-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI4646DY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
SIL-0392016 16/Dec/2016.pdf
Feuilles de données
SI4646DY.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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