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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI4562DY-T1-E3
SI4562DY-T1-E3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI4562DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI4562DY-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI4562DY-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4562DY.pdf
État RoHS
En stock: 4860

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI4562DY-T1-E3
Vishay Siliconix - SI4562DY-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI4562DY-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base SI4562  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI4562DY-T1-E3

Attributs du produit SI4562DY-T1-E3 SI4559ADY-T1-GE3 SI4561DY-T1-E3 SI4565ADY-T1-E3
Modèle de produit SI4562DY-T1-E3 SI4559ADY-T1-GE3 SI4561DY-T1-E3 SI4565ADY-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Puissance - Max 2W 3.1W, 3.4W 3W, 3.3W 3.1W
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 665pF @ 15V 640pF @ 20V 625pF @ 20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 5.3A, 3.9A 6.8A, 7.2A 6.6A, 5.6A
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Numéro de produit de base SI4562 SI4559 SI4561 SI4565
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V 20nC @ 10V 20nC @ 10V 22nC @ 10V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tension drain-source (Vdss) 20V 60V 40V 40V
Configuration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V 58mOhm @ 4.3A, 10V 35.5mOhm @ 5A, 10V 39mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.2V @ 250µA

Fiche technique SI4562DY-T1-E3 PDF

Téléchargez SI4562DY-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI4562DY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf
Feuilles de données
SI4562DY.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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