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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI4554DY-T1-GE3
SI4554DY-T1-GE3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI4554DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI4554DY-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI4554DY-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
Si4554DY.pdf
État RoHS
En stock: 88600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI4554DY-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI4554DY-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI4554DY-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6.8A, 10V  
Puissance - Max 3.1W, 3.2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 20V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 40V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base SI4554  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI4554DY-T1-GE3

Attributs du produit SI4554DY-T1-GE3 SI4542DY-T1-E3 SI4559ADY-T1-E3 SI4559ADY-T1-GE3
Modèle de produit SI4554DY-T1-GE3 SI4542DY-T1-E3 SI4559ADY-T1-E3 SI4559ADY-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tension drain-source (Vdss) 40V 30V 60V 60V
Puissance - Max 3.1W, 3.2W 2W 3.1W, 3.4W 3.1W, 3.4W
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 50nC @ 10V 20nC @ 10V 20nC @ 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6.8A, 10V 25mOhm @ 6.9A, 10V 58mOhm @ 4.3A, 10V 58mOhm @ 4.3A, 10V
Configuration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A - 5.3A, 3.9A 5.3A, 3.9A
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base SI4554 SI4542 SI4559 SI4559
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 20V - 665pF @ 15V 665pF @ 15V
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique SI4554DY-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI4554DY-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI4554DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Feuilles de données
Si4554DY.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
32D-SI4554DY-T1-GE3

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