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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI4539ADY-T1-GE3
SI4539ADY-T1-GE3 Image
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SI4539ADY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI4539ADY-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI4539ADY-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4539ADY.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4310

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques SI4539ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI4539ADY-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI4539ADY-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 5.9A, 10V  
Puissance - Max 1.1W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.4A, 3.7A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base SI4539  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI4539ADY-T1-GE3

Attributs du produit SI4539ADY-T1-GE3 SI4539ADY-T1-E3 SI4542DY SI4542DY-T1-E3
Modèle de produit SI4539ADY-T1-GE3 SI4539ADY-T1-E3 SI4542DY SI4542DY-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix onsemi Vishay Siliconix
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 5.9A, 10V 36mOhm @ 5.9A, 10V 28mOhm @ 6A, 10V 25mOhm @ 6.9A, 10V
Puissance - Max 1.1W 1.1W 1W 2W
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 20nC @ 10V 13nC @ 5V 50nC @ 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries TrenchFET® TrenchFET® PowerTrench® TrenchFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Numéro de produit de base SI4539 SI4539 SI4542 SI4542
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - - 830pF @ 15V -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.4A, 3.7A 4.4A, 3.7A 6A -
Configuration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fiche technique SI4539ADY-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI4539ADY-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI4539ADY-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf
Feuilles de données
SI4539ADY.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI4539ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix
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