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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI4505DY-T1-GE3
SI4505DY-T1-GE3 Image
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SI4505DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI4505DY-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI4505DY-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4505DY.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4830

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Quantité
OPTION EXPRESS
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques SI4505DY-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI4505DY-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI4505DY-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7.8A, 10V  
Puissance - Max 1.2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V, 8V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A, 3.8A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base SI4505  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI4505DY-T1-GE3

Attributs du produit SI4505DY-T1-GE3 SI4511DY-T1-E3 SI4511DY-T1-GE3 SI4505DY-T1-E3
Modèle de produit SI4505DY-T1-GE3 SI4511DY-T1-E3 SI4511DY-T1-GE3 SI4505DY-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V 18nC @ 4.5V 18nC @ 4.5V 20nC @ 5V
Tension drain-source (Vdss) 30V, 8V 20V 20V 30V, 8V
Emballer Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7.8A, 10V 14.5mOhm @ 9.6A, 10V 14.5mOhm @ 9.6A, 10V 18mOhm @ 7.8A, 10V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Séries TrenchFET® - - TrenchFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configuration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Puissance - Max 1.2W 1.1W 1.1W 1.2W
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A, 3.8A 7.2A, 4.6A 7.2A, 4.6A 6A, 3.8A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base SI4505 SI4511 SI4511 SI4505
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC

Fiche technique SI4505DY-T1-GE3 PDF

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Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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