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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI4340DY-T1-E3
SI4340DY-T1-E3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI4340DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI4340DY-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI4340DY-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO
Description détaillée
Emballage
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4340DY.pdf
État RoHS
En stock: 4670

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI4340DY-T1-E3
Vishay Siliconix - SI4340DY-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI4340DY-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 14-SOIC  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 9.6A, 10V  
Puissance - Max 1.14W, 1.43W  
Package / Boîte 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.3A, 9.9A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI4340  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI4340DY-T1-E3

Attributs du produit SI4340DY-T1-E3 SI4340CDY-T1-E3 SI433B SI4346DY
Modèle de produit SI4340DY-T1-E3 SI4340CDY-T1-E3 SI433B SI4346DY
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay VIS
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 9.6A, 10V 9.4mOhm @ 11.5A, 10V - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V 32nC @ 10V - -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 1300pF @ 10V - -
Package composant fournisseur 14-SOIC 14-SOIC - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.3A, 9.9A 14.1A, 20A - -
Numéro de produit de base SI4340 SI4340 - -
Package / Boîte 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Séries TrenchFET® TrenchFET® - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA - -
Puissance - Max 1.14W, 1.43W 3W, 5.4W - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -

Fiche technique SI4340DY-T1-E3 PDF

Téléchargez SI4340DY-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI4340DY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI4340DY-T1-E3

Vishay Siliconix
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