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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI4202DY-T1-GE3
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SI4202DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI4202DY-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI4202DY-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4202DY.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 61090

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Quantité
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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques SI4202DY-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI4202DY-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI4202DY-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 8A, 10V  
Puissance - Max 3.7W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12.1A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI4202  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI4202DY-T1-GE3

Attributs du produit SI4202DY-T1-GE3 SI4200DY-T1-GE3 SI4204DY-T1-GE3 SI4200DB-BM
Modèle de produit SI4202DY-T1-GE3 SI4200DY-T1-GE3 SI4204DY-T1-GE3 SI4200DB-BM
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Silicon Power
Tension drain-source (Vdss) 30V 25V 20V -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.4V @ 250µA -
Puissance - Max 3.7W 2.8W 3.25W -
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12.1A 8A 19.8A -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Numéro de produit de base SI4202 SI4200 SI4204 -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V 12nC @ 10V 45nC @ 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 8A, 10V 25mOhm @ 7.3A, 10V 4.6mOhm @ 10A, 10V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 15V 415pF @ 13V 2110pF @ 10V -
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® -

Fiche technique SI4202DY-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI4202DY-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI4202DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf New solder paste 26/May/2023.pdf
Assemblage / origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Feuilles de données
SI4202DY.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI4202DY-T1-GE3

Vishay Siliconix
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