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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI4056DY-T1-GE3
SI4056DY-T1-GE3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI4056DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI4056DY-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI4056DY-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
Si4056DY.pdf
État RoHS
En stock: 85190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI4056DY-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI4056DY-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI4056DY-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.1A (Tc)  
Numéro de produit de base SI4056  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI4056DY-T1-GE3

Attributs du produit SI4056DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 SI4090DY-T1-GE3
Modèle de produit SI4056DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 SI4090DY-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.1A (Tc) 32.1A (Tc) 10.3A (Tc) 19.7A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 50 V 3175 pF @ 30 V 690 pF @ 50 V 2410 pF @ 50 V
Séries TrenchFET® TrenchFET® - TrenchFET®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Numéro de produit de base SI4056 SI4062 SI4058 SI4090
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 15A, 10V 4.2mOhm @ 20A, 10V 26mOhm @ 10A, 10V 10mOhm @ 15A, 10V
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29.5 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 100 V 100 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) 7.8W (Tc) 5.6W (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA 2.6V @ 250µA 2.8V @ 250µA 3.3V @ 250µA

Fiche technique SI4056DY-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI4056DY-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI4056DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf New solder paste 26/May/2023.pdf
Assemblage / origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Feuilles de données
Si4056DY.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI4056DY-T1-GE3

Vishay Siliconix
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