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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI3456CDV-T1-E3
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SI3456CDV-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI3456CDV-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI3456CDV-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
SI3456CDV.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 3600

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Quantité
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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques SI3456CDV-T1-E3
Vishay Siliconix - SI3456CDV-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI3456CDV-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-TSOP  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 3.3W (Tc)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.7A (Tc)  
Numéro de produit de base SI3456  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI3456CDV-T1-E3

Attributs du produit SI3456CDV-T1-E3 SI3456DDV-T1-GE3 SI3456BDV-T1-E3 SI3456CDV-T1-GE3
Modèle de produit SI3456CDV-T1-E3 SI3456DDV-T1-GE3 SI3456BDV-T1-E3 SI3456CDV-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.7A (Tc) 6.3A (Tc) 4.5A (Ta) 7.7A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Numéro de produit de base SI3456 SI3456 SI3456 SI3456
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 3.3W (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) 1.1W (Ta) 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package composant fournisseur 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6.1A, 10V 40mOhm @ 5A, 10V 35mOhm @ 6A, 10V 34mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 15 V 325 pF @ 15 V - 460 pF @ 15 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique SI3456CDV-T1-E3 PDF

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Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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