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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI3434DV-T1-E3
SI3434DV-T1-E3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI3434DV-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI3434DV-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI3434DV-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
SI3434DV.pdf
État RoHS
En stock: 4440

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI3434DV-T1-E3
Vishay Siliconix - SI3434DV-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI3434DV-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 1mA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-TSOP  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6.1A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.14W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.6A (Ta)  
Numéro de produit de base SI3434  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI3434DV-T1-E3

Attributs du produit SI3434DV-T1-E3 SI3438DV-T1-GE3 SI3433CDV-T1-GE3 SI3434DV-T1-GE3
Modèle de produit SI3434DV-T1-E3 SI3438DV-T1-GE3 SI3433CDV-T1-GE3 SI3434DV-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.6A (Ta) 7.4A (Tc) 6A (Tc) 4.6A (Ta)
Dissipation de puissance (max) 1.14W (Ta) 2W (Ta), 3.5W (Tc) 1.6W (Ta), 3.3W (Tc) 1.14W (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 1mA (Min) 3V @ 250µA 1V @ 250µA 600mV @ 1mA (Min)
Vgs (Max) ±12V ±20V ±8V ±12V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 30 V 40 V 20 V 30 V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base SI3434 SI3438 SI3433 SI3434
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 20 nC @ 10 V 45 nC @ 8 V 12 nC @ 4.5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Package composant fournisseur 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6.1A, 4.5V 35.5mOhm @ 5A, 10V 38mOhm @ 5.2A, 4.5V 34mOhm @ 6.1A, 4.5V
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Fiche technique SI3434DV-T1-E3 PDF

Téléchargez SI3434DV-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI3434DV-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf
Feuilles de données
SI3434DV.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI3434DV-T1-E3

Vishay Siliconix
32D-SI3434DV-T1-E3

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