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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI2351DS-T1-E3
SI2351DS-T1-E3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI2351DS-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI2351DS-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI2351DS-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
Si2351DS.pdf
État RoHS
En stock: 4950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI2351DS-T1-E3
Vishay Siliconix - SI2351DS-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI2351DS-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 2.4A, 4.5V  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.1 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Tc)  
Numéro de produit de base SI2351  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI2351DS-T1-E3

Attributs du produit SI2351DS-T1-E3 SI2343DS-T1-E3 SI2356DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3
Modèle de produit SI2351DS-T1-E3 SI2343DS-T1-E3 SI2356DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.1 nC @ 5 V 21 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 2.4A, 4.5V 53mOhm @ 4A, 10V 51mOhm @ 3.2A, 10V 42mOhm @ 3.8A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Tc) 3.1A (Ta) 4.3A (Tc) 5A (Tc)
Numéro de produit de base SI2351 SI2343 SI2356 SI2347
Fonction FET - - - -
Séries - TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 40 V 30 V
Emballer Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 10 V 540 pF @ 15 V 370 pF @ 20 V 705 pF @ 15 V

Fiche technique SI2351DS-T1-E3 PDF

Téléchargez SI2351DS-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI2351DS-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf
Feuilles de données
Si2351DS.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI2351DS-T1-E3

Vishay Siliconix
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