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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI2305CDS-T1-GE3
SI2305CDS-T1-GE3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI2305CDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI2305CDS-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI2305CDS-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
SI2305CDS.pdf
État RoHS
En stock: 281650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI2305CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI2305CDS-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI2305CDS-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.4A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 960 pF @ 4 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 8 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 8 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.8A (Tc)  
Numéro de produit de base SI2305  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI2305CDS-T1-GE3

Attributs du produit SI2305CDS-T1-GE3 SI2305ADS-T1-GE3 SI2305ADS-T1-E3 SI2305DS-T1-E3
Modèle de produit SI2305CDS-T1-GE3 SI2305ADS-T1-GE3 SI2305ADS-T1-E3 SI2305DS-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V -
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.4A, 4.5V 40mOhm @ 4.1A, 4.5V 40mOhm @ 4.1A, 4.5V 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 8 V 8 V 8 V 8 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.8A (Tc) 5.4A (Tc) 5.4A (Tc) 3.5A (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base SI2305 SI2305 SI2305 SI2305
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 960 pF @ 4 V 740 pF @ 4 V 740 pF @ 4 V 1245 pF @ 4 V
Dissipation de puissance (max) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 8 V 15 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 800mV @ 250µA 800mV @ 250µA 800mV @ 250µA

Fiche technique SI2305CDS-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI2305CDS-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI2305CDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Informations environnementales
Material Compliance.pdf
Feuilles de données
SI2305CDS.pdf

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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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