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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI1902CDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI1902CDL-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI1902CDL-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI1902CDL-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
Si1902CDL.pdf
État RoHS
En stock: 319740

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI1902CDL-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI1902CDL-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI1902CDL-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-70-6  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 1A, 4.5V  
Puissance - Max 420mW  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 62pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.1A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI1902  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI1902CDL-T1-GE3

Attributs du produit SI1902CDL-T1-GE3 SI1903DL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-BE3 SI1902DL-T1-E3
Modèle de produit SI1902CDL-T1-GE3 SI1903DL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-BE3 SI1902DL-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V 1.8nC @ 4.5V 3nC @ 10V 1.2nC @ 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max 420mW 270mW 300mW (Ta), 420mW (Tc) 270mW
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 62pF @ 10V - 62pF @ 10V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 1A, 4.5V 995mOhm @ 410mA, 4.5V 235mOhm @ 1A, 4.5V 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Package composant fournisseur SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.1A 410mA 1A (Ta), 1.1A (Tc) 660mA
Numéro de produit de base SI1902 SI1903 SI1902 SI1902
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique SI1902CDL-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI1902CDL-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI1902CDL-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
Feuilles de données
Si1902CDL.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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