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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI1539DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI1539DL-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI1539DL-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI1539DL-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
SI1539DL.pdf
État RoHS
En stock: 4410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI1539DL-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI1539DL-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI1539DL-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-70-6  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 590mA, 10V  
Puissance - Max 270mW  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 540mA, 420mA  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base SI1539  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI1539DL-T1-GE3

Attributs du produit SI1539DL-T1-GE3 SI1551DL-T1-GE3 SI1539DL-T1-E3 SI1553DL-T1-GE3
Modèle de produit SI1539DL-T1-GE3 SI1551DL-T1-GE3 SI1539DL-T1-E3 SI1553DL-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Package composant fournisseur SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V 1.5nC @ 4.5V 1.4nC @ 10V 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 590mA, 10V 1.9Ohm @ 290mA, 4.5V 480mOhm @ 590mA, 10V 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Puissance - Max 270mW 270mW 270mW 270mW
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Configuration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 540mA, 420mA 290mA, 410mA 540mA, 420mA 660mA, 410mA
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2.6V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30V 20V 30V 20V
Numéro de produit de base SI1539 SI1551 SI1539 SI1553
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique SI1539DL-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI1539DL-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI1539DL-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf
Feuilles de données
SI1539DL.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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