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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI1069X-T1-GE3
SI1069X-T1-GE3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI1069X-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI1069X-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI1069X-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
Description détaillée
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
SI1069X.pdf
État RoHS
En stock: 5160

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI1069X-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI1069X-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI1069X-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-89 (SOT-563F)  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 184mOhm @ 940mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 236mW (Ta)  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 308 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.86 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 940mA (Ta)  
Numéro de produit de base SI1069  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI1069X-T1-GE3

Attributs du produit SI1069X-T1-GE3 SI1072X-T1-GE3 SI1056X-T1-GE3 SI1070X-T1-GE3
Modèle de produit SI1069X-T1-GE3 SI1072X-T1-GE3 SI1056X-T1-GE3 SI1070X-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 236mW (Ta) 236mW (Ta) 236mW (Ta) 236mW (Ta)
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Package composant fournisseur SC-89 (SOT-563F) SC-89 (SOT-563F) SC-89 (SOT-563F) SC-89 (SOT-563F)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 184mOhm @ 940mA, 4.5V 93mOhm @ 1.3A, 10V 89mOhm @ 1.32A, 4.5V 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 308 pF @ 10 V 280 pF @ 15 V 400 pF @ 10 V 385 pF @ 15 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.86 nC @ 5 V 8.3 nC @ 10 V 8.7 nC @ 5 V 8.3 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±12V ±20V ±8V ±12V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 950mV @ 250µA 1.55V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Numéro de produit de base SI1069 SI1072 SI1056 SI1070
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 940mA (Ta) 1.3A (Ta) 1.32A (Ta) 1.2A (Ta)
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 30 V

Fiche technique SI1069X-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI1069X-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI1069X-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 14/Mar/2018.pdf
Feuilles de données
SI1069X.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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