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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI1013CX-T1-GE3
SI1013CX-T1-GE3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI1013CX-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI1013CX-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI1013CX-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Description détaillée
Emballage
SC-89, SOT-490
Fiche technique
SI1013CX-T1-GE3.pdf
État RoHS
En stock: 381590

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI1013CX-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI1013CX-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI1013CX-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-89-3  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 760mOhm @ 400mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 190mW (Ta)  
Package / Boîte SC-89, SOT-490  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 450mA (Ta)  
Numéro de produit de base SI1013  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI1013CX-T1-GE3

Attributs du produit SI1013CX-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 SI1012X-T1-GE3 SI1013X-T1-E3
Modèle de produit SI1013CX-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 SI1012X-T1-GE3 SI1013X-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur SC-89-3 SC-75A SC-89-3 SC-89-3
Package / Boîte SC-89, SOT-490 SC-75, SOT-416 SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 900mV @ 250µA 900mV @ 250µA 450mV @ 250µA (Min)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 10 V - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V 0.75 nC @ 4.5 V 0.75 nC @ 4.5 V 1.5 nC @ 4.5 V
Numéro de produit de base SI1013 SI1012 SI1012 SI1013
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 190mW (Ta) 150mW (Ta) 250mW (Ta) 250mW (Ta)
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Vgs (Max) ±8V ±6V ±6V ±6V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 450mA (Ta) 500mA (Ta) 500mA (Ta) 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 760mOhm @ 400mA, 4.5V 700mOhm @ 600mA, 4.5V 700mOhm @ 600mA, 4.5V 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V

Fiche technique SI1013CX-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI1013CX-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI1013CX-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
Feuilles de données
SI1013CX-T1-GE3.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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