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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLR110PBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLR110PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRLR110PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR110PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110.pdf
État RoHS
En stock: 76950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLR110PBF
Vishay Siliconix - IRLR110PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRLR110PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 2.6A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLR110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRLR110PBF

Attributs du produit IRLR110PBF IRLR110TRPBF IRLR110ATF IRLR120
Modèle de produit IRLR110PBF IRLR110TRPBF IRLR110ATF IRLR120
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix onsemi Vishay Siliconix
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 22W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4V, 5V 5V 4V, 5V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 2.6A, 5V 540mOhm @ 2.6A, 5V 440mOhm @ 2.35A, 5V 270mOhm @ 4.6A, 5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±10V ±10V ±20V ±10V
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak TO-252AA D-Pak
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 8 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 235 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V
Numéro de produit de base IRLR110 IRLR110 IRLR11 IRLR120
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Tc) 4.3A (Tc) 4.7A (Tc) 7.7A (Tc)

Fiche technique IRLR110PBF PDF

Téléchargez IRLR110PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRLR110PBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014.pdf
Feuilles de données
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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