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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLL014TRPBF
IRLL014TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLL014TRPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRLL014TRPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRLL014TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
IRLL014.pdf
État RoHS
En stock: 123450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLL014TRPBF
Vishay Siliconix - IRLL014TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRLL014TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLL014  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRLL014TRPBF

Attributs du produit IRLL014TRPBF IRLL014TR IRLL014NTRPBF IRLL014NPBF
Modèle de produit IRLL014TRPBF IRLL014TR IRLL014NTRPBF IRLL014NPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies International Rectifier
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±16V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 55 V 55 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Package composant fournisseur SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A (Tc) 2.7A (Tc) 2A (Ta) 2A (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 1W (Ta) 1W (Ta)
Numéro de produit de base IRLL014 IRLL014 IRLL014 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 5V 200mOhm @ 1.6A, 5V 140mOhm @ 2A, 10V 140mOhm @ 2A, 10V
Séries - - HEXFET® HEXFET®

Fiche technique IRLL014TRPBF PDF

Téléchargez IRLL014TRPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRLL014TRPBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Reel Design Change 29/Dec/2022.pdf Wire/Mold Compound Update 31/Aug/2015.pdf
Feuilles de données
IRLL014.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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