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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFZ14SPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFZ14SPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFZ14SPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFZ14SPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFZ14.pdf
État RoHS
En stock: 67470

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFZ14SPBF
Vishay Siliconix - IRFZ14SPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFZ14SPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFZ14  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFZ14SPBF

Attributs du produit IRFZ14SPBF IRFZ24 IRFZ20 IRFZ14PBF
Modèle de produit IRFZ14SPBF IRFZ24 IRFZ20 IRFZ14PBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 50 V 60 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 10V 100mOhm @ 10A, 10V 100mOhm @ 10A, 10V 200mOhm @ 6A, 10V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 17A (Tc) 15A (Tc) 10A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 60W (Tc) 40W (Tc) 43W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base IRFZ14 IRFZ24 IRFZ20 IRFZ14
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 850 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V
Séries - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IRFZ14SPBF PDF

Téléchargez IRFZ14SPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFZ14SPBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRFZ14.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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