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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR9014
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR9014 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFR9014
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR9014
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR9014, IRFU9014, SiHFR9014, SiHFU9014.pdf
En stock: 5370

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR9014
Vishay Siliconix - IRFR9014 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFR9014

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 3.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.1A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFR9014  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFR9014

Attributs du produit IRFR9014 IRFR9020TR IRFR9014TRL IRFR9010TRPBF
Modèle de produit IRFR9014 IRFR9020TR IRFR9014TRL IRFR9010TRPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 9.1 nC @ 10 V
Séries - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.1A (Tc) 9.9A (Tc) 5.1A (Tc) 5.3A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V
Numéro de produit de base IRFR9014 IRFR9020 IRFR9014 IRFR9010
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 42W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 25W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 50 V 60 V 50 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 3.1A, 10V 280mOhm @ 5.7A, 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V 500mOhm @ 2.8A, 10V

Fiche technique IRFR9014 PDF

Téléchargez IRFR9014 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFR9014 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFR9014, IRFU9014, SiHFR9014, SiHFU9014.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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