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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR214
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR214 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFR214
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR214
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR214.pdf
En stock: 3790

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR214
Vishay Siliconix - IRFR214 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFR214

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFR214  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFR214

Attributs du produit IRFR214 IRFR220 IRFR210 IRFR210BTF
Modèle de produit IRFR214 IRFR220 IRFR210 IRFR210BTF
Fabricant Vishay Siliconix Harris Corporation Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
Tension drain-source (Vdss) 250 V 200 V 200 V 200 V
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 50W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 26W (Tc)
Numéro de produit de base IRFR214 - IRFR210 -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Tc) 4.6A (Tc) 2.6A (Tc) 2.7A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 225 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 9.3 nC @ 10 V
Emballer Tube Bulk Tube Bulk
Package composant fournisseur D-Pak TO-252AA D-Pak TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.3A, 10V 800mOhm @ 2.4A, 10V 1.5Ohm @ 1.6A, 10V 1.5Ohm @ 1.35A, 10V

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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