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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR020TRPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR020TRPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFR020TRPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR020TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR020, IRFU020.pdf
État RoHS
En stock: 59780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR020TRPBF
Vishay Siliconix - IRFR020TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFR020TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 8.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFR020  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFR020TRPBF

Attributs du produit IRFR020TRPBF IRFR014TRPBF IRFR024NTRPBF IRFR020
Modèle de produit IRFR020TRPBF IRFR014TRPBF IRFR024NTRPBF IRFR020
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 55 V 60 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc) 7.7A (Tc) 17A (Tc) 14A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - HEXFET® -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V 370 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 8.4A, 10V 200mOhm @ 4.6A, 10V 75mOhm @ 10A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Numéro de produit de base IRFR020 IRFR014 IRFR024 IRFR020
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique IRFR020TRPBF PDF

Téléchargez IRFR020TRPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFR020TRPBF - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFR020, IRFU020.pdf
Conception / spécification PCN
Reel Design Change 29/Dec/2022.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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