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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR014PBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR014PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFR014PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR014PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR014, IRFU014, SiHFR014, SiHFU014.pdf
État RoHS
En stock: 77100

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR014PBF
Vishay Siliconix - IRFR014PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFR014PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 4.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.7A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFR014  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFR014PBF

Attributs du produit IRFR014PBF IRFR014 IRFR014TRLPBF IRFR014TRPBF
Modèle de produit IRFR014PBF IRFR014 IRFR014TRLPBF IRFR014TRPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.7A (Tc) 7.7A (Tc) 7.7A (Tc) 7.7A (Tc)
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 4.6A, 10V 200mOhm @ 4.6A, 10V 200mOhm @ 4.6A, 10V 200mOhm @ 4.6A, 10V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V
Séries - - - -
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IRFR014 IRFR014 IRFR014 IRFR014
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique IRFR014PBF PDF

Téléchargez IRFR014PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFR014PBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014.pdf
Feuilles de données
IRFR014, IRFU014, SiHFR014, SiHFU014.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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