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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFPC50LC
IRFPC50LC Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFPC50LC - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFPC50LC
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFPC50LC
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRFPC50LC.pdf
En stock: 4210

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFPC50LC
Vishay Siliconix - IRFPC50LC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFPC50LC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 6.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFPC50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFPC50LC

Attributs du produit IRFPC50LC IRFPE40PBF IRFP9240 IRFPC40
Modèle de produit IRFPC50LC IRFPE40PBF IRFP9240 IRFPC40
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Harris Corporation Vishay Siliconix
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 6.6A, 10V 2Ohm @ 3.2A, 10V 500mOhm @ 7.2A, 10V 1.2Ohm @ 4.1A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Package composant fournisseur TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Tension drain-source (Vdss) 600 V 800 V 200 V 600 V
Numéro de produit de base IRFPC50 IRFPE40 - IRFPC40
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 5.4A (Tc) 12A (Tc) 6.8A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-IRFPC50LC

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