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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFP340
IRFP340 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFP340 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFP340
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFP340
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRFP340.pdf
En stock: 3840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFP340
Vishay Siliconix - IRFP340 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFP340

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 6.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFP340  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFP340

Attributs du produit IRFP340 IRFP344 IRFP3306PBF IRFP32N50KPBF
Modèle de produit IRFP340 IRFP344 IRFP3306PBF IRFP32N50KPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA 5V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries - - HEXFET® -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 6.6A, 10V 630mOhm @ 5.7A, 10V 4.2mOhm @ 75A, 10V 160mOhm @ 32A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 4520 pF @ 50 V 5280 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 400 V 450 V 60 V 500 V
Package composant fournisseur TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 150W (Tc) 220W (Tc) 460W (Tc)
Numéro de produit de base IRFP340 IRFP344 IRFP3306 IRFP32
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 9.5A (Tc) 120A (Tc) 32A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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